AP4435C
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,10A
- 品牌: 铨力 (ALLPOWER)
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.63230 | 0.63230 |
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 10A
- 功率(Pd) 3.7W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@10V,10A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 30nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 1.55nF@15V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 278pF@15V
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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AP4435C所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AP4435C 由 铨力 (ALLPOWER) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AP4435C价格参考￥0.632305，你可以下载 AP4435C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AP4435C规格参数、现货库存、封装信息等信息！
铨力 (ALLPOWER)
深圳铨力半导体有限公司成立于2016年，是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业。公司研发团队主要来自台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英，公司总部坐落于中国深圳，在韩国和广州设有分公司。...
