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ME50P06-G
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ME50P06-G

  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):61A 功率(Pd):114W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,17A
  • 品牌:
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.21589 3.21589
10+ 2.65889 26.58890
30+ 2.42768 72.83046
100+ 2.13341 213.34180
500+ 1.99679 998.39750
1000+ 1.92322 1923.22900
  • 库存: 3650
  • 单价: ¥3.21589
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.22
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规格参数

  • 类型 P沟道
  • 漏源电压(Vdss) 60V
  • 连续漏极电流(Id) 61A
  • 功率(Pd) 114W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 17mΩ@10V,17A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
ME50P06-G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ME50P06-G 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。ME50P06-G价格参考¥3.215891,你可以下载 ME50P06-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ME50P06-G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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