ME50P06-G
- 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):61A 功率(Pd):114W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,17A
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 3.21589 | 3.21589 |
10+ | 2.65889 | 26.58890 |
30+ | 2.42768 | 72.83046 |
100+ | 2.13341 | 213.34180 |
500+ | 1.99679 | 998.39750 |
1000+ | 1.92322 | 1923.22900 |
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数量:
- +
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 61A
- 功率(Pd) 114W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 17mΩ@10V,17A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
ME50P06-G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ME50P06-G 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。ME50P06-G价格参考¥3.215891,你可以下载 ME50P06-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ME50P06-G规格参数、现货库存、封装信息等信息!