NCE40P70K
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@10V,20A
- 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.58372 | 3.58372 |
| 10+ | 2.96366 | 29.63664 |
| 30+ | 2.65889 | 79.76670 |
| 100+ | 2.35411 | 235.41160 |
| 500+ | 2.16494 | 1082.47300 |
| 1000+ | 2.07036 | 2070.36100 |
- 库存: 7343
- 单价: ¥3.58372
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.58
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 40V
- 连续漏极电流(Id) 70A
- 功率(Pd) 130W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10mΩ@10V,20A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
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| NCE82DHRQ-T941 | 易芯易科技 (Sullins) | DAUGHTER CARD PCI | ¥69.88608 |
NCE40P70K所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NCE40P70K 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NCE40P70K价格参考￥3.583722，你可以下载 NCE40P70K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NCE40P70K规格参数、现货库存、封装信息等信息！
无锡新洁能 (NCE)
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V...
