VBE5415
- 描述:类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：108W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,38A
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.69772 | 4.69772 |
| 10+ | 3.93053 | 39.30534 |
| 30+ | 3.54168 | 106.25052 |
| 100+ | 3.16334 | 316.33440 |
| 500+ | 2.86907 | 1434.53950 |
| 1000+ | 2.75347 | 2753.47500 |
- 库存: 4969
- 单价: ¥4.69772
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.70
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规格参数
- 类型 1个N沟道和1个P沟道
- 漏源电压(Vdss) 40V
- 连续漏极电流(Id) 50A
- 功率(Pd) 108W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 14mΩ@10V,38A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA；30V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) -
- 输入电容(Ciss@Vds) -
- 反向传输电容(Crss@Vds) -
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VBE5415所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，VBE5415 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。VBE5415价格参考￥4.697723，你可以下载 VBE5415中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询VBE5415规格参数、现货库存、封装信息等信息！