NCE30P25S
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：3.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,15A
- 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.27734 | 4.27734 |
| 10+ | 3.69932 | 36.99326 |
| 30+ | 3.40506 | 102.15183 |
| 100+ | 3.12130 | 312.13060 |
| 500+ | 2.95315 | 1476.57750 |
| 1000+ | 2.85857 | 2858.57000 |
- 库存: 6672
- 单价: ¥4.27735
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.28
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 25A
- 功率(Pd) 3.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 9mΩ@10V,15A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
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| NCE82DHRQ-T941 | 易芯易科技 (Sullins) | DAUGHTER CARD PCI | ¥69.88608 |
NCE30P25S所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NCE30P25S 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NCE30P25S价格参考￥4.277345，你可以下载 NCE30P25S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NCE30P25S规格参数、现货库存、封装信息等信息！
无锡新洁能 (NCE)
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V...
