NCE55P15K
- 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,5A
- 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
- 交期:2-3 工作日
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- 自营
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 55V
- 连续漏极电流(Id) 15A
- 功率(Pd) 35W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 75mΩ@10V,5A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@250uA
NCE55P15K所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NCE55P15K 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCE55P15K价格参考¥1.369632,你可以下载 NCE55P15K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCE55P15K规格参数、现货库存、封装信息等信息!
无锡新洁能 (NCE)
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V...