NCE40H12K
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4mΩ@10V,20A
- 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.44520 | 2.44520 |
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 40V
- 连续漏极电流(Id) 120A
- 功率(Pd) 120W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4mΩ@10V,20A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
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NCE40H12K所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NCE40H12K 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NCE40H12K价格参考￥2.445203，你可以下载 NCE40H12K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NCE40H12K规格参数、现货库存、封装信息等信息！
无锡新洁能 (NCE)
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V...
