4N65
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.1Ω@10V,2A
- 品牌: 固得沃克 (GOODWORK)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.10801 | 1.10801 |
| 10+ | 0.88731 | 8.87313 |
| 30+ | 0.79272 | 23.78184 |
| 100+ | 0.65158 | 65.15860 |
| 500+ | 0.59903 | 299.51950 |
| 1000+ | 0.56751 | 567.51000 |
- 库存: 19095
- 单价: ¥1.10801
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.11
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 650V
- 连续漏极电流(Id) 4A
- 功率(Pd) 38W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.1Ω@10V,2A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 14.5nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 425pF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 5.8pF@25V
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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| 4N65 | 固得沃克 (GOODWORK) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.1Ω@10V,2A | ¥1.10801 |
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4N65所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，4N65 由 固得沃克 (GOODWORK) 设计生产，可通过久芯网进行购买。4N65价格参考￥1.108012，你可以下载 4N65中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询4N65规格参数、现货库存、封装信息等信息！
固得沃克 (GOODWORK)
江苏固得沃克微电子科技有限公司,于2019年成立。厂房面积2万平米,位于江苏盐城。总部位于深圳，于2004年成立。公司拥有经验丰富的资深工程技术人员以及专业的管理团队，全面自主研发生产。是一家专业研发生...
