FQD50N06-VB
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 4.68721 | 4.68721 |
10+ | 3.92002 | 39.20024 |
30+ | 3.53117 | 105.93522 |
100+ | 3.15283 | 315.28340 |
500+ | 2.70092 | 1350.46400 |
1000+ | 2.58532 | 2585.32400 |
- 库存: 5909
- 单价: ¥4.68721
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数量:
- +
- 总计: ¥4.69
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 50A
- 功率(Pd) -
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 12mΩ@10V,50A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) -
- 栅极电荷(Qg@Vgs) -
- 输入电容(Ciss@Vds) -
- 反向传输电容(Crss@Vds) -
FQD50N06-VB所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQD50N06-VB 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQD50N06-VB价格参考¥4.687214,你可以下载 FQD50N06-VB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQD50N06-VB规格参数、现货库存、封装信息等信息!