NCEP30T13GU
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.7mΩ@10V,65A
- 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.04774 | 3.04774 |
| 10+ | 2.43819 | 24.38192 |
| 30+ | 2.17545 | 65.26368 |
| 100+ | 1.84966 | 184.96630 |
| 500+ | 1.70253 | 851.26550 |
| 1000+ | 1.61845 | 1618.45500 |
- 库存: 8373
- 单价: ¥3.04774
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.05
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 130A
- 功率(Pd) 80W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.7mΩ@10V,65A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.7V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 39.6nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 2.394nF@15V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 50pF@15V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
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NCEP30T13GU所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NCEP30T13GU 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NCEP30T13GU价格参考￥3.047740，你可以下载 NCEP30T13GU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NCEP30T13GU规格参数、现货库存、封装信息等信息！
无锡新洁能 (NCE)
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V...
