NCE82H140D
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：82V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：220W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.3mΩ@10V,20A
- 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.86360 | 4.86360 |
- 库存: 10
- 单价: ¥4.86361
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.86
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 82V
- 连续漏极电流(Id) 140A
- 功率(Pd) 220W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4.3mΩ@10V,20A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 158nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 7.9nF@40V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 384pF@40V
- 工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)
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| NCE82DHRQ-T941 | 易芯易科技 (Sullins) | DAUGHTER CARD PCI | ¥69.88608 |
NCE82H140D所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NCE82H140D 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NCE82H140D价格参考￥4.863607，你可以下载 NCE82H140D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NCE82H140D规格参数、现货库存、封装信息等信息！
无锡新洁能 (NCE)
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V...
