UT3N06G-AE3-R
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,3A
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- 交期:2-3 工作日
渠道:
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 3A
- 功率(Pd) 350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 90mΩ@10V,3A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
UT3N06G-AE3-R所属分类:分立场效应晶体管 (FET),UT3N06G-AE3-R 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。UT3N06G-AE3-R价格参考¥0.269436,你可以下载 UT3N06G-AE3-R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UT3N06G-AE3-R规格参数、现货库存、封装信息等信息!