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NCE3035Q
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):35A 功率(Pd):35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,12A
- 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 1.50642 | 1.50642 |
10+ | 1.24820 | 12.48205 |
30+ | 1.13754 | 34.12623 |
100+ | 0.99944 | 99.94480 |
500+ | 0.93807 | 469.03550 |
1000+ | 0.90118 | 901.18300 |
- 库存: 15713
- 单价: ¥1.50642
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.51
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 35A
- 功率(Pd) 35W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7mΩ@10V,12A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
NCE3035Q所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NCE3035Q 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCE3035Q价格参考¥1.506422,你可以下载 NCE3035Q中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCE3035Q规格参数、现货库存、封装信息等信息!
无锡新洁能 (NCE)
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无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V...