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NCEP4045GU
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):45A 功率(Pd):28W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,20A
- 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 2.26930 | 2.26930 |
10+ | 1.87646 | 18.76462 |
30+ | 1.70810 | 51.24300 |
100+ | 1.49802 | 149.80200 |
500+ | 1.40448 | 702.24250 |
1000+ | 1.34836 | 1348.36000 |
- 库存: 8505
- 单价: ¥2.26930
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.27
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 40V
- 连续漏极电流(Id) 45A
- 功率(Pd) 28W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6mΩ@10V,20A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.6V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 17.6nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 831pF@20V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 24pF@20V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
NCEP4045GU所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NCEP4045GU 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCEP4045GU价格参考¥2.269302,你可以下载 NCEP4045GU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCEP4045GU规格参数、现货库存、封装信息等信息!
无锡新洁能 (NCE)
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无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V...