APG095N01K
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):63W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,20A
- 品牌: 铨力 (ALLPOWER)
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 60A
- 功率(Pd) 63W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5mΩ@10V,20A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 41.8nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 2.122nF@50V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 25pF@50V
- 工作温度 +150℃@(Tj)
APG095N01K所属分类:分立场效应晶体管 (FET),APG095N01K 由 铨力 (ALLPOWER) 设计生产,可通过久芯网进行购买。APG095N01K价格参考¥1.765095,你可以下载 APG095N01K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询APG095N01K规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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深圳铨力半导体有限公司成立于2016年,是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业。公司研发团队主要来自台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英,公司总部坐落于中国深圳,在韩国和广州设有分公司。...