NCE01P03S
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：170mΩ@10V,3A
- 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.13940 | 2.13940 |
| 10+ | 1.83368 | 18.33685 |
| 30+ | 1.70263 | 51.07917 |
| 100+ | 1.53921 | 153.92100 |
| 500+ | 1.46638 | 733.19150 |
| 1000+ | 1.42276 | 1422.76600 |
- 库存: 7765
- 单价: ¥2.13941
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.14
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 3A
- 功率(Pd) 2.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 170mΩ@10V,3A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.9V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 25nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 760pF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 170pF@25V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
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NCE01P03S所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NCE01P03S 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NCE01P03S价格参考￥2.139408，你可以下载 NCE01P03S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NCE01P03S规格参数、现货库存、封装信息等信息！
无锡新洁能 (NCE)
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V...
