CS3N150AHR
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.5kV 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):32W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1.5A
- 品牌: 华润微 (CRMICRO)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 9.23780 | 9.23780 |
10+ | 7.88208 | 78.82086 |
25+ | 7.13591 | 178.39787 |
100+ | 6.29515 | 629.51590 |
500+ | 5.33880 | 2669.40000 |
- 库存: 710
- 单价: ¥9.23781
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 1.5kV
- 连续漏极电流(Id) 3A
- 功率(Pd) 32W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,1.5A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 37.6nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 3.036nF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 2.8pF@25V
- 工作温度 +150℃@(Tj)
CS3N150AHR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CS3N150AHR 由 华润微 (CRMICRO) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CS3N150AHR价格参考¥9.237805,你可以下载 CS3N150AHR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CS3N150AHR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
华润微 (CRMICRO)
公司以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础,面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台,并可提供高可靠性功率器件、模块等产品和应用方...