CS9N90ANHD
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):900V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):950mΩ@10V,4.5A
- 品牌: 华润微 (CRMICRO)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 7.09387 | 7.09387 |
10+ | 5.97987 | 59.79876 |
25+ | 5.38083 | 134.52092 |
100+ | 4.68721 | 468.72140 |
500+ | 4.19327 | 2096.63500 |
1000+ | 4.05664 | 4056.64700 |
- 库存: 4485
- 单价: ¥7.09388
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.09
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 900V
- 连续漏极电流(Id) 9A
- 功率(Pd) 150W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 950mΩ@10V,4.5A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 65nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 3.85nF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 13pF@25V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
CS9N90ANHD所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CS9N90ANHD 由 华润微 (CRMICRO) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CS9N90ANHD价格参考¥7.093877,你可以下载 CS9N90ANHD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CS9N90ANHD规格参数、现货库存、封装信息等信息!
华润微 (CRMICRO)
公司以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础,面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台,并可提供高可靠性功率器件、模块等产品和应用方...