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CS9N90ANHD
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CS9N90ANHD

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):900V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):950mΩ@10V,4.5A
  • 品牌: 华润微 (CRMICRO)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.09387 7.09387
10+ 5.97987 59.79876
25+ 5.38083 134.52092
100+ 4.68721 468.72140
500+ 4.19327 2096.63500
1000+ 4.05664 4056.64700
  • 库存: 4485
  • 单价: ¥7.09388
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.09
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 900V
  • 连续漏极电流(Id) 9A
  • 功率(Pd) 150W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 950mΩ@10V,4.5A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs) 65nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds) 3.85nF@25V
  • 反向传输电容(Crss@Vds) 13pF@25V
  • 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
CS9N90ANHD所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CS9N90ANHD 由 华润微 (CRMICRO) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CS9N90ANHD价格参考¥7.093877,你可以下载 CS9N90ANHD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CS9N90ANHD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

华润微 (CRMICRO)

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公司以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础,面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台,并可提供高可靠性功率器件、模块等产品和应用方...

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