AP8810
- 描述:类型：2个N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@4.5V,6A
- 品牌: 铨力 (ALLPOWER)
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- 自营
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规格参数
- 类型 2个N沟道(共漏)
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 7A
- 功率(Pd) 1.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@4.5V,6A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA
AP8810 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | AP851 100R F | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 100欧姆 公差: ±1% 功率（瓦特）: 50W 组成成分: 厚膜 包装/外壳: TO-220-2全套 工作温度: -60摄氏度~150摄氏度 | ¥29.23582 |
 | AP851 1K J | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 1千欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 50W 组成成分: 厚膜 包装/外壳: TO-220-2全套 工作温度: -60摄氏度~150摄氏度 | ¥34.54574 |
 | AP851 220R J | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 220欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 50W 组成成分: 厚膜 包装/外壳: TO-220-2全套 工作温度: -60摄氏度~150摄氏度 | ¥34.54574 |
 | AP851 3R3 J | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 3.3欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 50W 组成成分: 厚膜 包装/外壳: TO-220-2全套 工作温度: -60摄氏度~150摄氏度 | ¥34.54574 |
 | AP851 10R J | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 10欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 50W 组成成分: 厚膜 包装/外壳: TO-220-2全套 工作温度: -60摄氏度~150摄氏度 | ¥42.44339 |
 | AP851 1R J | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 1欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 50W 组成成分: 厚膜 包装/外壳: TO-220-2全套 工作温度: -60摄氏度~150摄氏度 | ¥42.44339 |
 | AP851 25R J | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 25欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 50W 组成成分: 厚膜 包装/外壳: TO-220-2全套 工作温度: -60摄氏度~150摄氏度 | ¥42.44339 |
 | AP851 25R F | 欧米特 (Ohmite) | 电阻: 25欧姆 公差: ±1% 功率（瓦特）: 50W 组成成分: 厚膜 包装/外壳: TO-220-2全套 工作温度: -60摄氏度~150摄氏度 | ¥44.32655 |
 | AP8801SG-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 种类: 直流-直流调节器 输出电流 / 通道: 500毫安 (Switch) 最小电源电压: 48V 最大电源电压: 8V 供应商设备包装: 8-SOP 安装类别: 表面安装 | ¥11.15407 |
 | AP8802SG-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 种类: 直流-直流调节器 输出电流 / 通道: 1A (Switch) 最小电源电压: 48V 最大电源电压: 8V 供应商设备包装: 8-SOP 安装类别: 表面安装 | ¥11.29892 |
AP8810所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AP8810 由 铨力 (ALLPOWER) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AP8810价格参考￥0.650412，你可以下载 AP8810中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AP8810规格参数、现货库存、封装信息等信息！
铨力 (ALLPOWER)
深圳铨力半导体有限公司成立于2016年，是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业。公司研发团队主要来自台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英，公司总部坐落于中国深圳，在韩国和广州设有分公司。...
