NCE65TF180
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：21A 功率(Pd)：188W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：160mΩ@10V,10.5A
- 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 9.12220 | 9.12220 |
| 10+ | 7.79801 | 77.98010 |
| 30+ | 7.06234 | 211.87047 |
| 100+ | 6.24261 | 624.26120 |
| 500+ | 5.88529 | 2942.64550 |
| 1000+ | 5.71714 | 5717.14000 |
- 库存: 1880
- 单价: ¥9.12220
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.12
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 650V
- 连续漏极电流(Id) 21A
- 功率(Pd) 188W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 160mΩ@10V,10.5A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 36nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 2.25nF@50V
- 反向传输电容(Crss@Vds) -
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
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NCE65TF180所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NCE65TF180 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NCE65TF180价格参考￥9.122201，你可以下载 NCE65TF180中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NCE65TF180规格参数、现货库存、封装信息等信息！
无锡新洁能 (NCE)
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V...
