TDM3434
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.1mΩ@10V,25A
- 品牌: 泰德 (code)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 2.99519 | 2.99519 |
10+ | 2.65889 | 26.58890 |
30+ | 2.60634 | 78.19029 |
100+ | 2.53277 | 253.27770 |
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 40V
- 连续漏极电流(Id) 100A
- 功率(Pd) 100W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.1mΩ@10V,25A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
TDM3434所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TDM3434 由 泰德 (code) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TDM3434价格参考¥2.995193,你可以下载 TDM3434中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TDM3434规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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在高端模拟电路设计和生产领域,美国泰德半导体有限公司已具有12年的综合设计经验。我们不但具备世界领先的模拟电路设计技术,而且还具有一套更为完整、更为先进的产品品质管理方法。由于采用了“无生产...