NCE0115K
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,10A
- 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.50653 | 1.50653 |
| 10+ | 1.24768 | 12.47684 |
| 30+ | 1.13680 | 34.10427 |
| 100+ | 0.99839 | 99.83980 |
| 500+ | 0.93681 | 468.40550 |
- 库存: 3810
- 单价: ¥1.50653
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.51
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 15A
- 功率(Pd) 50W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 90mΩ@10V,10A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
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| NCE82DHRQ-T941 | 易芯易科技 (Sullins) | DAUGHTER CARD PCI | ¥69.88608 |
NCE0115K所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NCE0115K 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NCE0115K价格参考￥1.506530，你可以下载 NCE0115K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NCE0115K规格参数、现货库存、封装信息等信息！
无锡新洁能 (NCE)
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V...
