BSR92P H6327
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：250V 连续漏极电流(Id)：140mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11Ω@10V,140mA
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.57481 | 2.57481 |
| 10+ | 2.05985 | 20.59852 |
| 30+ | 1.82864 | 54.85932 |
| 100+ | 1.55539 | 155.53980 |
| 500+ | 1.42928 | 714.64250 |
| 1000+ | 1.35571 | 1355.71900 |
- 库存: 8993
- 单价: ¥2.57482
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.57
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 250V
- 连续漏极电流(Id) 140mA
- 功率(Pd) 500mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11Ω@10V,140mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@130uA
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BSR92P H6327所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSR92P H6327 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSR92P H6327价格参考￥2.574815，你可以下载 BSR92P H6327中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSR92P H6327规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
