NCE30TD60BF
- 描述:IGBT类型:沟槽 功率(Pd):35.5W 集射极击穿电压(Vces):600V 集电极电流(Ic):60A
- 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 10.73014 | 10.73014 |
10+ | 9.19576 | 91.95767 |
30+ | 8.35501 | 250.65033 |
100+ | 7.40916 | 740.91610 |
500+ | 6.98878 | 3494.39150 |
1000+ | 6.78910 | 6789.10300 |
- 库存: 1034
- 单价: ¥10.73015
-
数量:
- +
- 总计: ¥10.73
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- IGBT类型 沟槽
- 功率(Pd) 35.5W
- 集射极击穿电压(Vces) 600V
- 集电极电流(Ic) 60A
- 集电极脉冲电流(Icm) 90A
- 集电极截止电流(Ices@Vce) 4uA@600V
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.7V@30A,15V
- 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 5V@1mA
- 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) 132nC@30A,15V
- 输入电容(Cies@Vce) 3.552nF@25V
- 开启延迟时间(Td(on)) 19ns
- 关断延迟时间(Td(off)) 166ns
- 导通损耗(Eon) 0.36mJ
- 关断损耗(Eoff) 0.32mJ
- 正向压降(Vf@If) 1.7V@30A
- 反向恢复时间(Trr) 178ns
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
NCE30TD60BF所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),NCE30TD60BF 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCE30TD60BF价格参考¥10.730146,你可以下载 NCE30TD60BF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCE30TD60BF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
无锡新洁能 (NCE)
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V...