久芯网
NCE30TD60BF
收藏

NCE30TD60BF

  • 描述:IGBT类型:沟槽 功率(Pd):35.5W 集射极击穿电压(Vces):600V 集电极电流(Ic):60A
  • 品牌: 无锡新洁能 (NCE)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 10.73014 10.73014
10+ 9.19576 91.95767
30+ 8.35501 250.65033
100+ 7.40916 740.91610
500+ 6.98878 3494.39150
1000+ 6.78910 6789.10300
  • 库存: 1034
  • 单价: ¥10.73015
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.73
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • IGBT类型 沟槽
  • 功率(Pd) 35.5W
  • 集射极击穿电压(Vces) 600V
  • 集电极电流(Ic) 60A
  • 集电极脉冲电流(Icm) 90A
  • 集电极截止电流(Ices@Vce) 4uA@600V
  • 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.7V@30A,15V
  • 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 5V@1mA
  • 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) 132nC@30A,15V
  • 输入电容(Cies@Vce) 3.552nF@25V
  • 开启延迟时间(Td(on)) 19ns
  • 关断延迟时间(Td(off)) 166ns
  • 导通损耗(Eon) 0.36mJ
  • 关断损耗(Eoff) 0.32mJ
  • 正向压降(Vf@If) 1.7V@30A
  • 反向恢复时间(Trr) 178ns
  • 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
NCE30TD60BF所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),NCE30TD60BF 由 无锡新洁能 (NCE) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCE30TD60BF价格参考¥10.730146,你可以下载 NCE30TD60BF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCE30TD60BF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

无锡新洁能 (NCE)

无锡新洁能 (NCE)

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部