KGF40N65KDC
- 描述:IGBT类型：沟槽场截止 功率(Pd)：208W 集射极击穿电压(Vces)：650V 集电极电流(Ic)：80A
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.12790 | 12.12790 |
| 10+ | 10.53046 | 105.30467 |
| 30+ | 9.53206 | 285.96207 |
- 库存: 90
- 单价: ¥12.12790
-
数量:
- +
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规格参数
- IGBT类型 沟槽场截止
- 功率(Pd) 208W
- 集射极击穿电压(Vces) 650V
- 集电极电流(Ic) 80A
- 集电极脉冲电流(Icm) 120A
- 集电极截止电流(Ices@Vce) 250uA@600V
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.75V@40A,15V
- 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 6.2V@4mA
- 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) 90nC@40A,15V
- 输入电容(Cies@Vce) 2.3nF@30V
- 开启延迟时间(Td(on)) 60ns
- 关断延迟时间(Td(off)) 110ns
- 导通损耗(Eon) 0.95mJ
- 关断损耗(Eoff) 0.55mJ
- 正向压降(Vf@If) 1.91V@20A
- 反向恢复时间(Trr) 97ns
- 工作温度 +175℃@(Tj)
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KGF40N65KDC所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），KGF40N65KDC 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。KGF40N65KDC价格参考￥12.127903，你可以下载 KGF40N65KDC中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询KGF40N65KDC规格参数、现货库存、封装信息等信息！