XP015PJE120AT1B1
- 描述:IGBT类型:IGBT模块 功率(Pd):130W 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):15A
- 品牌: 芯达茂 (XDM)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 104.92632 | 104.92632 |
10+ | 93.52357 | 935.23577 |
32+ | 91.72646 | 2935.24675 |
96+ | 84.60105 | 8121.70137 |
- 库存: 32
- 单价: ¥104.92633
-
数量:
- +
- 总计: ¥104.93
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- IGBT类型 IGBT模块
- 功率(Pd) 130W
- 集射极击穿电压(Vces) 1.2kV
- 集电极电流(Ic) 15A
- 集电极脉冲电流(Icm) 30A
- 集电极截止电流(Ices@Vce) 1mA@1200V
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 2.1V@15A,15V
- 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 5.6V@480uA
- 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) 4.7uC@15A,15V
- 输入电容(Cies@Vce) 990pF@25V
- 开启延迟时间(Td(on)) 38ns
- 关断延迟时间(Td(off)) 150ns
- 导通损耗(Eon) 1.11mJ
- 关断损耗(Eoff) 0.95mJ
- 反向恢复时间(Trr) -
XP015PJE120AT1B1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),XP015PJE120AT1B1 由 芯达茂 (XDM) 设计生产,可通过久芯网进行购买。XP015PJE120AT1B1价格参考¥104.926328,你可以下载 XP015PJE120AT1B1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询XP015PJE120AT1B1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
芯达茂 (XDM)
"厦门芯达茂微电子有限公司坐落于厦门国家火炬高新园区,是一家从事半导体电源器件、集成电路、模块及电机驱动控制器的专业设计企业。 我们采用国内外先进的半导体制造、封装与组装代工技术,专注于开发直流无刷马...