XNG100B24TC1S5
- 描述:IGBT类型：IGBT模块 集射极击穿电压(Vces)：1.2kV 集电极电流(Ic)：100A
- 品牌: 芯能半导体 (Xiner)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 165.31361 | 165.31361 |
| 10+ | 149.58097 | 1495.80972 |
- 库存: 0
- 单价: ¥165.31362
-
数量:
- +
- 总计: ¥165.31
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规格参数
- IGBT类型 IGBT模块
- 功率(Pd) -
- 集射极击穿电压(Vces) 1.2kV
- 集电极电流(Ic) 100A
- 集电极脉冲电流(Icm) 200A
- 集电极截止电流(Ices@Vce) 1mA@1.2kV
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.9V@100A,15V
- 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 6.8V@3.3mA
- 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) -
- 输入电容(Cies@Vce) 6.9nF@25V
- 开启延迟时间(Td(on)) 40ns
- 关断延迟时间(Td(off)) 240ns
- 导通损耗(Eon) 9.5mJ
- 关断损耗(Eoff) 10.2mJ
- 正向压降(Vf@If) 2.25V@100A
- 反向恢复时间(Trr) 140ns
- 工作温度 -40℃~+150℃@(Tvjop)
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XNG100B24TC1S5所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），XNG100B24TC1S5 由 芯能半导体 (Xiner) 设计生产，可通过久芯网进行购买。XNG100B24TC1S5价格参考￥165.313615，你可以下载 XNG100B24TC1S5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询XNG100B24TC1S5规格参数、现货库存、封装信息等信息！
芯能半导体 (Xiner)
深圳芯能半导体技术有限公司(Xiner 芯能半导体)成立于2013年，由深圳正轩科技、深圳国资委、深圳人才创新基金、达晨创投、方广资本、厦门猎鹰等知名机构联合投资，致力于IGBT芯片、IGBT驱动芯片...