IKB15N65EH5
- 描述:功率(Pd)：105W 集射极击穿电压(Vces)：650V 集电极电流(Ic)：30A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 25.52744 | 25.52744 |
| 200+ | 9.87888 | 1975.77620 |
| 500+ | 9.53206 | 4766.03450 |
| 1000+ | 9.36391 | 9363.91800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥25.52745
-
数量:
- +
- 总计: ¥25.53
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规格参数
- IGBT类型 -
- 功率(Pd) 105W
- 集射极击穿电压(Vces) 650V
- 集电极电流(Ic) 30A
- 集电极脉冲电流(Icm) 45A
- 集电极截止电流(Ices@Vce) 50uA@650V
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.65V@15A,15V
- 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 4V@150uA
- 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) 38nC@15A,15V
- 输入电容(Cies@Vce) 930pF@25V
- 开启延迟时间(Td(on)) 16ns
- 关断延迟时间(Td(off)) 145ns
- 导通损耗(Eon) 0.4mJ
- 关断损耗(Eoff) 0.08mJ
- 正向压降(Vf@If) 1.45V@15A
- 反向恢复时间(Trr) 70ns
- 工作温度 -40℃~+175℃@(Tj)
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IKB15N65EH5所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IKB15N65EH5 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IKB15N65EH5价格参考￥25.527449，你可以下载 IKB15N65EH5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IKB15N65EH5规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
