GT60M324(Q)
- 描述:功率(Pd)：254W 集射极击穿电压(Vces)：900V 集电极电流(Ic)：60A
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 14.17724 | 14.17724 |
| 10+ | 12.48522 | 124.85224 |
| 30+ | 11.43427 | 343.02837 |
| 100+ | 10.35180 | 1035.18060 |
| 500+ | 9.85786 | 4928.93100 |
| 1000+ | 9.64767 | 9647.67300 |
- 库存: 0
- 单价: ¥14.17725
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.18
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规格参数
- IGBT类型 -
- 功率(Pd) 254W
- 集射极击穿电压(Vces) 900V
- 集电极电流(Ic) 60A
- 集电极脉冲电流(Icm) 120A
- 集电极截止电流(Ices@Vce) 1mA@900V
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.7V@60A,15V
- 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 7.5V@60mA
- 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) -
- 输入电容(Cies@Vce) 3.6nF@10V
- 开启延迟时间(Td(on)) 310ns
- 关断延迟时间(Td(off)) 360ns
- 导通损耗(Eon) -
- 关断损耗(Eoff) -
- 正向压降(Vf@If) 1.3V@15A
- 反向恢复时间(Trr) 800ns
- 工作温度 +175℃@(Tj)
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GT60M324(Q)所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），GT60M324(Q) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。GT60M324(Q)价格参考￥14.177245，你可以下载 GT60M324(Q)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询GT60M324(Q)规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
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