INN650DA260A
- 描述:栅源击穿电压(V(BR)GSS)：7V
- 品牌: 英诺赛科 (Innoscience)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.50214 | 8.50214 |
| 10+ | 7.20948 | 72.09481 |
| 30+ | 6.50534 | 195.16044 |
| 100+ | 5.69612 | 569.61210 |
| 500+ | 5.11810 | 2559.05050 |
| 1000+ | 4.96045 | 4960.45900 |
- 库存: 1719
- 单价: ¥8.50214
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.50
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规格参数
- FET类型 -
- 栅源击穿电压(V(BR)GSS) 7V
- 栅源截止电压(VGS(off)@ID) -
- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0) -
- 漏源导通电阻(RDS(on)) -
- 输入电容(Ciss@Vds) -
- 功率(Pd) -
- 工作温度 -
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INN650DA260A所属分类：结栅场效应晶体管 (JFET)，INN650DA260A 由 英诺赛科 (Innoscience) 设计生产，可通过久芯网进行购买。INN650DA260A价格参考￥8.502143，你可以下载 INN650DA260A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询INN650DA260A规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英诺赛科 (Innoscience)
英诺赛科（Innoscience）主要致力于第三代半导体硅基氮化镓功率与射频器件的研发与产业化，并已于2017年底建成了我国首条8英寸硅基氮化镓功率器件的量产线，产品性能达到国际领先水平，加上其IDM全...