英诺赛科(Innoscience)主要致力于第三代半导体硅基氮化镓功率与射频器件的研发与产业化,并已于2017年底建成了我国首条8英寸硅基氮化镓功率器件的量产线,产品性能达到国际领先水平,加上其IDM全产业链模式的商业模式,使得公司产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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栅源击穿电压(V(BR)GSS):7V | ¥8.50214 | 1719 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8.50214 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥3.93053 | 2696 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.93053 | 立即购买 加入购物车 |