SS8550 Y2
- 描述:晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@100mA,1V Y2 200-350
- 品牌: 创基 (CBI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.14432 | 0.14432 |
| 10+ | 0.11500 | 1.15003 |
| 50+ | 0.09447 | 4.72380 |
| 100+ | 0.08470 | 8.47060 |
| 500+ | 0.07623 | 38.11950 |
| 1000+ | 0.07167 | 71.67600 |
- 库存: 7420
- 单价: ¥0.09963
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.14
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规格参数
- 晶体管类型 PNP
- 集射极击穿电压(Vceo) 25V
- 集电极电流(Ic) 1.5A
- 功率(Pd) 300mW
- 集电极截止电流(Icbo) 100nA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@800mA,80mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 200@100mA,1V
- 特征频率(fT) 100MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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创基 (CBI)
香港创基电子科技有限公司（原公司名称为”香港创基 国际企业有限公司” 成立于2014 年 8月） ,位于香港荃湾 海盛路 3 号TML广场，主要业务销售「CBI」品牌全系列产 品及代加工二、三极管分流器...