L8550QLT1G
- 描述:晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):800mA 功率(Pd):225mW
- 品牌: 乐山无线电 (LRC)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.10069 | 0.10069 |
10+ | 0.08125 | 0.81251 |
60+ | 0.07044 | 4.22664 |
120+ | 0.06396 | 7.67544 |
480+ | 0.05834 | 28.00752 |
- 库存: 31950
- 单价: ¥0.10070
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.10
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规格参数
- 晶体管类型 PNP
- 集射极击穿电压(Vceo) 25V
- 集电极电流(Ic) 800mA
- 功率(Pd) 225mW
- 集电极截止电流(Icbo) 150nA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@800mA,80mA
- 特征频率(fT) -
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
L8550QLT1G所属分类:分立双极结型晶体管,L8550QLT1G 由 乐山无线电 (LRC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。L8550QLT1G价格参考¥0.100698,你可以下载 L8550QLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询L8550QLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
乐山无线电 (LRC)
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