KTC8550S-D-RTK/P
- 描述:晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@50mA,1V
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.11651 | 0.11651 |
| 10+ | 0.09378 | 0.93781 |
| 60+ | 0.07225 | 4.33530 |
| 120+ | 0.06467 | 7.76064 |
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-
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- +
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规格参数
- 晶体管类型 PNP
- 集射极击穿电压(Vceo) 30V
- 集电极电流(Ic) 800mA
- 功率(Pd) 350mW
- 集电极截止电流(Icbo) 50nA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@500mA,50mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 100@50mA,1V
- 特征频率(fT) 120MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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| KTC8550S-D-RTK/P | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@50mA,1V | ¥0.11652 | |
| KTC9018S-H-RTK/P | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：20mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：54@1mA,5V | ¥0.21811 | |
 | KTC3875S-Y-RTK/P | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@2mA,6V | ¥0.22603 | |
 | KTC3875S-GR-RTK/P | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：150mW | ¥0.1648 | |
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KTC8550S-D-RTK/P所属分类：分立双极结型晶体管，KTC8550S-D-RTK/P 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。KTC8550S-D-RTK/P价格参考￥0.116517，你可以下载 KTC8550S-D-RTK/P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询KTC8550S-D-RTK/P规格参数、现货库存、封装信息等信息！