HE8050G-D-AE3-R
- 描述:晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V
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渠道:
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起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.19607 | 0.19607 |
| 10+ | 0.16066 | 1.60669 |
| 30+ | 0.14100 | 4.23015 |
| 150+ | 0.12920 | 19.38090 |
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规格参数
- 晶体管类型 NPN
- 集射极击穿电压(Vceo) 25V
- 集电极电流(Ic) 1.5A
- 功率(Pd) 350mW
- 集电极截止电流(Icbo) 100nA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@800mA,80mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 160@100mA,1V
- 特征频率(fT) 100MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| HE8050G-D-AE3-R | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V | ¥0.19607 | |
 | HE8550G-D-AE3-R | ¥0.19266 |
HE8050G-D-AE3-R所属分类：分立双极结型晶体管，HE8050G-D-AE3-R 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。HE8050G-D-AE3-R价格参考￥0.196073，你可以下载 HE8050G-D-AE3-R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HE8050G-D-AE3-R规格参数、现货库存、封装信息等信息！