SS8550W
- 描述:暂无
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- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.12076 | 0.12076 |
| 10+ | 0.09712 | 0.97127 |
| 60+ | 0.07619 | 4.57170 |
| 120+ | 0.06831 | 8.19780 |
| 480+ | 0.06147 | 29.50944 |
| 1020+ | 0.05780 | 58.96212 |
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SS8550W 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SS8 | 克莱因工具 (Klein) | NUT DRIVER HEX SKT 1/4" 3.75" | ¥75.97802 |
| SS81CA | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 技术: 霍尔效应 输出类别: 模拟电压 电源电压: 4.5伏~24伏 最大供电电流: 8.7毫安 | ¥27.99876 |
| SS85CA | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 技术: 霍尔效应 功能: 单极开关 电源电压: -24伏~28伏 最大供电电流: 22毫安 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度 | ¥294.64117 |
| SS83D01G9 | 希凯 (C&K) | SWITCH SLIDE | ¥17.50874 |
 | SS827M2R5E0800 | 荣誉 (HONOR) | 容值：820uF 精度：±20% 额定电压：2.5V 纹波电流：4.1A@100kHz 等效串联电阻：16mΩ@100kHz | ¥0.79577 |
| SS8550 Y2 | 创基 (CBI) | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@100mA,1V Y2 200-350 | ¥0.09963 |
| SS8050 | 伯恩半导体 (BORN) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@100mA,1V H档（200-350） | ¥0.10068 |
| SS8050 Y1 | 创基 (CBI) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@100mA,1V Y1(Y1表示丝印) SOT-23 | ¥0.08268 |
| SS8550 | 固得沃克 (GOODWORK) | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：300mW SOT-23 | ¥0.03694 |
| SS8050W Y1 | 创基 (CBI) | Y1(Y1表示丝印) | ¥0.13715 |
SS8550W所属分类：分立双极结型晶体管，SS8550W 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。SS8550W价格参考￥0.120768，你可以下载 SS8550W中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SS8550W规格参数、现货库存、封装信息等信息！