PZT5551G-B-AA3-R
- 描述:晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：2W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
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规格参数
- 晶体管类型 NPN
- 集射极击穿电压(Vceo) 160V
- 集电极电流(Ic) 600mA
- 功率(Pd) 2W
- 集电极截止电流(Icbo) 50nA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@50mA,5mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 150@10mA,5V
- 特征频率(fT) 100MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
PZT5551G-B-AA3-R 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | PZT2222AT1G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 1.5瓦 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) | ¥1.05841 |
 | PZT2907AT3G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 1.5瓦 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) | ¥3.18688 |
 | PZT3904T1G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 1.5瓦 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) | ¥3.62145 |
 | PZT2222A,115 | 安世半导体 (Nexperia) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 1.15瓦 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: SOT-223 | ¥2.82473 |
 | PZTA14,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN 30V 500MA SOT223 | ¥0.65186 |
| PZT5551G-B-AA3-R | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：2W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240 | ¥0.33824 | |
 | PZTA94 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 暂无 | ¥0.72307 |
| PZTA44 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 暂无 | ¥0.59507 |
| PZTA44 SOT-223 | 江苏长电/长晶 (CJ) | ¥0.44834 | |
| PZT5551G-AA3-R | -- | ¥0.25796 |
PZT5551G-B-AA3-R所属分类：分立双极结型晶体管，PZT5551G-B-AA3-R 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。PZT5551G-B-AA3-R价格参考￥0.338243，你可以下载 PZT5551G-B-AA3-R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PZT5551G-B-AA3-R规格参数、现货库存、封装信息等信息！