DHE1M
- 描述:二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V 反向恢复时间(trr)：75ns
- 品牌: 富芯森美 (FUXINSEMI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.08836 | 0.08836 |
- 库存: 20
- 单价: ¥0.08836
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.09
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 二极管配置 独立式
- 直流反向耐压(Vr) 1kV
- 平均整流电流(Io) 1A
- 正向压降(Vf) 1.7V
- 反向电流(Ir) 5uA
- 反向恢复时间(trr) 75ns
- 工作温度 -55℃~+150℃
DHE1M 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| DHE1M | 富芯森美 (FUXINSEMI) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V 反向恢复时间(trr)：75ns | ¥0.08836 |
| DHE1J U1J | 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向恢复时间(trr)：75ns | ¥0.0674 | |
 | DHE1M U1M | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向恢复时间(trr)：75ns | ¥0.07594 | |
 | DHE1D | 富芯森美 (FUXINSEMI) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向恢复时间(trr)：50ns | ¥0.07229 |
 | DHE1G | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.4V@1A 反向恢复时间(trr)：50ns | ¥0.06506 | |
| DHE1B | 暂无 | ¥0.10404 | |
| DHE1A | 暂无 | ¥0.10404 | |
| DHE1K | 暂无 | ¥0.10404 |
DHE1M所属分类：二极管/整流器阵列，DHE1M 由 富芯森美 (FUXINSEMI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DHE1M价格参考￥0.088363，你可以下载 DHE1M中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DHE1M规格参数、现货库存、封装信息等信息！
富芯森美 (FUXINSEMI)
FuxinSemi（富芯森美）是一家集研发、生产、销售于一体的高新技术企业，拥有业内顶尖的研发能力和先进的芯片生产、封装测试全自动化生产线。公司通过ISO、IATF 16949质量管理体系认证，产品通过...
