BAS21A
- 描述:二极管配置：1对共阳极 功率：225mW 直流反向耐压(Vr)：250V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向恢复时间(trr)：50ns
- 品牌: 华轩阳电子 (HXY MOSFET)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 100+ | 0.14060 | 14.06060 |
| 1000+ | 0.13263 | 132.63900 |
| 3000+ | 0.11804 | 354.13500 |
| 10000+ | 0.08341 | 834.16000 |
| 50000+ | 0.07869 | 3934.70000 |
- 库存: 120000
- 单价: ¥0.18923
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.19
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规格参数
- 二极管配置 1对共阳极
- 功率 225mW
- 直流反向耐压(Vr) 250V
- 平均整流电流(Io) 200mA
- 正向压降(Vf) 1.25V@200mA
- 反向电流(Ir) 100nA@200V
- 反向恢复时间(trr) 50ns
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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BAS21A所属分类：单整流二极管，BAS21A 由 华轩阳电子 (HXY MOSFET) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BAS21A价格参考￥0.189228，你可以下载 BAS21A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BAS21A规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华轩阳电子 (HXY MOSFET)
华轩阳电子是一家持续研发、销售——高效率，高功率密度，高性能的功率器件生产厂家。产品主要是二极管Diode、三极管Transistor，瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制...
