1N5819WS
- 描述:直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：600mV@1A
- 品牌: 华轩阳电子 (HXY MOSFET)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.07229 | 0.07229 |
| 10+ | 0.05811 | 0.58110 |
| 60+ | 0.05022 | 3.01332 |
| 120+ | 0.04549 | 5.45916 |
| 480+ | 0.04139 | 19.86864 |
- 库存: 24000
- 单价: ¥0.09447
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.07
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规格参数
- 直流反向耐压(Vr) 40V
- 平均整流电流(Io) 1A
- 正向压降(Vf) 600mV@1A
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1N5819WS所属分类：二极管/整流器阵列，1N5819WS 由 华轩阳电子 (HXY MOSFET) 设计生产，可通过久芯网进行购买。1N5819WS价格参考￥0.094469，你可以下载 1N5819WS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询1N5819WS规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华轩阳电子 (HXY MOSFET)
华轩阳电子是一家持续研发、销售——高效率，高功率密度，高性能的功率器件生产厂家。产品主要是二极管Diode、三极管Transistor，瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制...
