1N914WT
- 描述:直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向恢复时间(trr)：4ns
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.07115 | 0.07115 |
| 10+ | 0.06333 | 0.63332 |
| 30+ | 0.06210 | 1.86303 |
| 80+ | 0.06024 | 4.81968 |
- 库存: 4000
- 单价: ¥0.07115
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.07
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规格参数
- 直流反向耐压(Vr) 100V
- 平均整流电流(Io) 200mA
- 正向压降(Vf) 1V@10mA
- 反向电流(Ir) 5uA@75V
- 反向恢复时间(trr) 4ns
1N914WT 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 1N9C | 海尔曼泰顿 (HellermannTyton) | 种类: 螺旋缠绕 材质: 聚酰胺（PA6）、尼龙6 长: 100'（30.48米） 特点: 耐酸、耐化学、自熄 色彩/颜色: 自然的 | ¥402.3431 |
 | 1N973A | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 33伏 最大功率: 500 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: DO-7 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥14.4858 |
 | 1N975B-1 | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 39伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH） 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.44951 |
 | 1N971BE3/TR | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 27伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH） 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥18.25211 |
 | 1N970B/TR | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 24伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥15.75338 |
 | 1N984B/TR | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 91 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH） 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥15.75338 |
 | 1N966BE3 | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 16伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7（DO-204AA） 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥15.75338 |
 | 1N980B/TR | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 62 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥15.75338 |
 | 1N967BE3/TR | 微芯 (Microchip) | 标称齐纳电压 (Vz): 18伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-7（DO-204AA） 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度 | ¥24.87951 |
| 1N959B TR PBFREE | 中央半导体 (Central) | 标称齐纳电压 (Vz): 8.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥0.56806 |
1N914WT所属分类：单整流二极管，1N914WT 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。1N914WT价格参考￥0.071154，你可以下载 1N914WT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询1N914WT规格参数、现货库存、封装信息等信息！