NXV65HR51DZ2
- 描述:NXV65HR51DZ2
- 品牌:
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渠道:
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规格参数
- Series Automotive, AEC-Q101
- Type MOSFET
- Configuration Half Bridge
- Current 33 A
- Voltage 650 V
- Voltage - Isolation -
- Mounting Type Through Hole
- Package / Case 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
NXV65HR51DZ2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NXV65HR82DS2 | 安盛美 (onsemi) | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 26A 电压: 650 V 隔离电压: 5000Vrms 参数配置: H型桥 包装/外壳: 16-SIP外露焊盘，成型引线 | ¥385.46553 |
| NXV04V120DB1 | 安盛美 (onsemi) | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 160 A 隔离电压: 2500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 19 PowerDIP模块（1.480“，37.60毫米） | ¥180.13092 |
 | NXV65HR82DZ2 | 安盛美 (onsemi) | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 26A 电压: 650 V 隔离电压: 5000Vrms 参数配置: H型桥 包装/外壳: 16-SIP外露焊盘，成型引线 | ¥385.46553 |
 | NXV65HR82DZ1 | 安盛美 (onsemi) | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 26A 电压: 650 V 隔离电压: 5000Vrms 参数配置: H型桥 包装/外壳: 16-SIP外露衬垫 | ¥433.27301 |
 | NXV65HR82DS1 | 安盛美 (onsemi) | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 26A 电压: 650 V 隔离电压: 5000Vrms 参数配置: H型桥 包装/外壳: 16-SIP外露衬垫 | ¥433.27301 |
 | NXV90EPR | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Ta） 最大功耗: 340mW (Ta), 2.1W (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
| NXV100XPR | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Ta） 最大功耗: 340mW (Ta), 2.1W (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.7523 |
| NXV65HR51DZ2 | NXV65HR51DZ2 | ¥0.00 | |
| NXV08H400XT1 | NXV08H400XT1 | ¥0.00 | |
| NXV08A170DB1 | MV7 80V APM12 | ¥0.00 |
NXV65HR51DZ2所属分类：功率驱动器模块，NXV65HR51DZ2 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。NXV65HR51DZ2价格参考￥，你可以下载 NXV65HR51DZ2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NXV65HR51DZ2规格参数、现货库存、封装信息等信息！