W97BH2MBVA2J TR
- 描述:IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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规格参数
- Series -
- Memory Type Volatile
- Memory Format DRAM
- Technology SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B
- Memory Size 2Gbit
- Memory Organization 64M x 32
- Memory Interface HSUL_12
- Clock Frequency 400 MHz
- Write Cycle Time - Word, Page 15ns
- Access Time -
- Voltage - Supply 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
- Operating Temperature -40°C ~ 105°C (TC)
- Mounting Type Surface Mount
- Package / Case 134-VFBGA
- Supplier Device Package 134-VFBGA (10x11.5)
W97BH2MBVA2J TR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | W972GG6KB-25 | 华邦电子 (Winbond) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5) | ¥57.32904 |
 | W971GG6NB25I | 华邦电子 (Winbond) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥48.41703 |
 | W971GG6NB-25 TR | 华邦电子 (Winbond) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥32.52062 |
 | W971GG6NB-18 | 华邦电子 (Winbond) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥32.01362 |
 | W9751G6NB-25 TR | 华邦电子 (Winbond) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-VFBGA (8x12.5) | ¥18.00268 |
 | W979H2KBVX1E | 华邦电子 (Winbond) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥40.63912 |
| W97AH6KBVX2I TR | 暂无 | ¥43.64574 | |
| W97AH6KBVX2E TR | 暂无 | ¥43.64574 | |
| W97AH6KBVX2E | 暂无 | ¥51.78005 | |
| W97BH2MBVA2J TR | IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA | ¥0.00 |
W97BH2MBVA2J TR所属分类：存储器，W97BH2MBVA2J TR 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。W97BH2MBVA2J TR价格参考￥，你可以下载 W97BH2MBVA2J TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询W97BH2MBVA2J TR规格参数、现货库存、封装信息等信息！