W971GG8SB-25
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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规格参数
- Series -
- Memory Type Volatile
- Memory Format DRAM
- Technology SDRAM - DDR2
- Memory Size 1Gbit
- Memory Organization 128M x 8
- Memory Interface Parallel
- Clock Frequency 200 MHz
- Write Cycle Time - Word, Page 15ns
- Access Time 400 ps
- Voltage - Supply 1.7V ~ 1.9V
- Operating Temperature 0°C ~ 85°C (TC)
- Mounting Type Surface Mount
- Package / Case 60-TFBGA
- Supplier Device Package 60-WBGA (8x12.5)
W971GG8SB-25 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | W972GG6KB-25 | 华邦电子 (Winbond) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5) | ¥57.32904 |
 | W971GG6NB25I | 华邦电子 (Winbond) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥48.41703 |
 | W971GG6NB-25 TR | 华邦电子 (Winbond) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥32.52062 |
 | W971GG6NB-18 | 华邦电子 (Winbond) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥32.01362 |
 | W9751G6NB-25 TR | 华邦电子 (Winbond) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-VFBGA (8x12.5) | ¥18.00268 |
 | W979H2KBVX1E | 华邦电子 (Winbond) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5) | ¥40.63912 |
| W97AH6KBVX2I TR | 暂无 | ¥43.64574 | |
| W97AH6KBVX2E TR | 暂无 | ¥43.64574 | |
| W97AH6KBVX2E | 暂无 | ¥51.78005 | |
| W97BH2MBVA2J TR | IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA | ¥0.00 |
W971GG8SB-25所属分类：存储器，W971GG8SB-25 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。W971GG8SB-25价格参考￥，你可以下载 W971GG8SB-25中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询W971GG8SB-25规格参数、现货库存、封装信息等信息！