70T3509MS200BPI
- 描述:IC RAM
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
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规格参数
- Series -
- Memory Type Volatile
- Memory Format SRAM
- Technology SRAM - Dual Port, Standard
- Memory Size 36Mbit
- Memory Organization 1M x 36
- Memory Interface LVTTL
- Clock Frequency 200 MHz
- Write Cycle Time - Word, Page -
- Access Time -
- Voltage - Supply 2.4V ~ 2.6V
- Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
- Mounting Type Surface Mount
- Package / Case 256-BGA
- Supplier Device Package 256-CABGA (17x17)
70T3509MS200BPI 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 70TPS12 | 威世二极管 (Vishay General) | SCR型: 标准回收率 断态电压: 1.2千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 75 A 最大通态平均电流 (It (AV)): 70 A 供应商设备包装: 超级247（至274AA） 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥202.90266 |
 | 70TPS16 | 威世二极管 (Vishay General) | SCR型: 标准回收率 断态电压: 1.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 75 A 最大通态平均电流 (It (AV)): 70 A 供应商设备包装: 超级247（至274AA） 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥144.31387 |
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 | 70T3539MS133BC | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 256-CABGA（17x17） | ¥2,597.67279 |
 | 70T3319S166BF | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15) | ¥1,407.14151 |
| 70T3319S166BFG | 瑞萨电子 (Renesas) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15) | ¥1,416.88369 |
| 70T3509MS166BPI | IC RAM | ¥0.00 | |
| 70T3509MS150BPI | IC RAM | ¥0.00 | |
| 70T3509MS200BPI | IC RAM | ¥0.00 |
70T3509MS200BPI所属分类：存储器，70T3509MS200BPI 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。70T3509MS200BPI价格参考￥，你可以下载 70T3509MS200BPI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询70T3509MS200BPI规格参数、现货库存、封装信息等信息！