■集成超低功耗SRAM、实时时钟、电源故障控制电路和电池
■BYTEWIDE RAM类时钟访问
■BCD编码的年、月、日、日期、小时、分钟和秒
■实时时钟频率测试输出
■自动断电芯片取消选择和写入保护
■写入保护电压
（VPFD=电源故障取消选择电压）：
-M48T35:VCc=4.75至5.5V
-4.5V≤VPFD≤4.75V
-M48T35Y:VcC=4.5至5.5V
-4.2V≤VPFD≤4.5V
■CAPHATTM DIP封装中的独立电池和晶体
■SOIC封装为包含电池和晶体的SNAPHATC外壳提供直接连接
■SNAPHAT外壳（电池和晶体）可更换
■引脚和功能兼容JEDEC标准32 Kb×8 SRAM
■符合RoHS
-无铅二级互连
特色
- 集成的超低功耗SRAM、实时时钟、电源故障控制电路和电池
- BYTEWIDERAM类时钟访问
- BCD代码日期、月、日、日期、小时、分钟和秒
- 实时时钟的频率输出
- 自动电源故障芯片取消选择和写入保护
- WRITEprotectvoltageVPFD=电源故障取消选择电压）：
- M48T35:VCC=4.75至5.5V；4.5V≤VPFD≤4.75V
- M48T35Y:VCC=4.5至5.5V；4.2V≤VPFD≤4.5V
（图片：引出线）
