特征
■ 集成超低功耗SRAM、实时时钟、电源故障控制电路和电池
■ 字节范围的™ 类似RAM的时钟访问
■ BCD编码的年、月、日、日期、小时、分钟和秒
■ 25°C时，典型的时钟精度为每月±1分钟
■ 自动断电芯片取消选择和写入保护
■ 写入保护
VPFD=电源故障取消选择电压）：
–M48T08:VCC=4.75至5.5 V；
4.5伏≤VPFD≤4.75伏
–M48T18/T08Y:VCC=4.5至5.5 V；
4.2伏≤VPFD≤4.5伏
■ 用于高精度应用的软件控制时钟校准
■ CAPHAT内置电池和晶体™ DIP封装
■ 包装包括28铅SOIC和SNAPHAT®顶部（需单独订购）
■ SOIC封装为
包含电池和水晶的snaphat上衣
■ 引脚和功能与DS1643和JEDEC标准8 K x 8 SRAM兼容
■ 符合RoHS标准–无铅二级互连
描述
M48T08/18/08Y TIMEKEEPER®RAM是一个8 K x 8非易失性静态RAM和实时时钟，其引脚和功能与DS1643兼容。单片芯片有两种特殊封装，提供高度集成的电池支持存储器和实时时钟解决方案。
M48T08/18/08Y是一个非易失性引脚，功能等同于任何JEDEC标准8 K x 8 SRAM。它还可以很容易地安装在许多ROM、EPROM和EEPROM插槽中，提供PROM的非易失性，无需特殊的WRITE定时或可执行WRITE数量的限制。
28针600密耳DIP帽子™ 将M48T08/18/08Y硅与石英晶体和长寿命锂纽扣电池封装在一起。
28针330密耳SOIC在两端提供镀金触点的插座，用于直接连接到包含电池和晶体的单独SNAPHAT®外壳。独特的设计使SNAPHAT®电池封装能够在完成表面安装工艺后安装在SOIC封装的顶部。回流后插入SNAPHAT®外壳可防止因设备表面安装所需的高温而造成电池和晶体的潜在损坏。SNAPHAT®外壳带有键，以防止反向插入。
SOIC和电池/晶体封装以塑料防静电管或胶带和卷轴形式单独装运。对于28引脚SOIC，电池/晶体包装（例如SNAPHAT®）的零件号为“M4T28-BR12SH”或“M4T32-BR12SH。
特色
- 集成超低功耗SRAM、实时时钟、电源故障控制电路和电池
- BYTEWIDERAM类时钟访问
- BCD代码日期、月、日、日期、小时、分钟和秒
- 25°C时的典型时钟精度为±1分钟
- 自动电源故障芯片取消选择和写入保护
- WRITEprotectVPFD=电源故障取消选择电压）：
- M48T08:VCC=4.75至5.5V；4.5V≤VPFD≤4.75V
- M48T18/T08Y:VCC=4.5至5.5V；4.2V≤VPFD≤4.5V
（图片：引出线）
