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A3PN125-1VQG100I

  • 描述:电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 I/O数量: 71 闸门数量: 125000 供应商设备包装: 100-VQFP(14x14) 工作温度: -40摄氏度~100摄氏度(TJ) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 美高森美 (Microsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 180

数量 单价 合计
1+ 129.98085 129.98085
200+ 50.30872 10061.74540
500+ 48.54314 24271.57000
1000+ 47.66034 47660.34600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥129.98085
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥23,396.55
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -40摄氏度~100摄氏度(TJ)
  • LAB/CLB数量 -
  • 逻辑元件/单元的数量 -
  • 制造厂商 美高森美 (Microsemi)
  • 电源电压 1.425伏~ 1.575伏
  • 包装/外壳 100-TQFP
  • 供应商设备包装 100-VQFP(14x14)
  • I/O数量 71
  • RAM 总位数 36864
  • 闸门数量 125000
  • 特点 -
  • 色彩/颜色 -

A3PN125-1VQG100I 产品详情

ProASIC3是Microsemi闪存FPGA的第三代系列,其性能、密度和功能超越ProASICPLUS®系列。非易失性闪存技术使ProASIC3纳米器件具有安全、低功耗、单芯片解决方案即开的优势。ProASIC3奈米器件可重新编程,以ASIC级别的单位成本提供上市时间优势。这些功能使设计人员能够使用现有的ASIC或FPGA设计流程和工具创建高密度系统。

ProASIC3纳米器件提供1 kbit的片上、可编程、非易失性FlashROM存储以及基于集成锁相环(PLL)的时钟调节电路。A3PN030和更小的设备不支持PLL或RAM。ProASIC3纳米器件具有多达250000个系统门,支持多达36 kbits的真正双端口SRAM和多达71个用户I/O。

ProASIC3纳米器件通过增加新功能和封装,在大容量消费、便携式和电池支持市场中实现更高的客户价值,从而扩大了ProASIC3产品线的广度。增加的功能包括更小的封装,设计时考虑到两层PCB,低功耗,热插拔能力,以及施密特触发器,在低成本和功耗敏感的应用中具有更大的灵活性

特色

广泛的功能
•10 k至250 k系统闸门
•高达36 kbits的真双端口SRAM
•最多71个用户I/O
可重新编程闪存技术
•130 nm,7层金属(6铜),基于闪存的CMOS工艺
•0级即时支持
•单片解决方案
•断电时保持编程设计
高性能
•350 MHz系统性能系统内编程(ISP)和安全
•ISP通过JTAG使用片上128位高级加密标准(AES)解密(符合IEEE 1532标准)†
•FlashLock®旨在保护FPGA内容
低功耗
•低功耗ProASIC®3纳米产品
•1.5 V低功耗核心电压
•支持1.5 V专用系统
•低阻抗闪光开关
高性能路由层次结构
•分段分级路由和时钟结构
A3PN125-1VQG100I所属分类:现场可编程门阵列(FPGA),A3PN125-1VQG100I 由 美高森美 (Microsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。A3PN125-1VQG100I价格参考¥129.980852,你可以下载 A3PN125-1VQG100I中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询A3PN125-1VQG100I规格参数、现货库存、封装信息等信息!

美高森美 (Microsemi)

美高森美 (Microsemi)

Microsemi Corporation总部设于加利福尼亚州尔湾市,是一家领先的高性能模拟和混合信号集成电路及高可靠性半导体设计商、制造商和营销商。 Microsemi公司的半导体产品可用于管理和控...

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