ProASIC3E是Microsemi闪存FPGA的第三代系列，其性能、密度和功能超越ProASICPLUS®系列。非易失性闪存技术使ProASIC3E设备具有安全、低功耗、单芯片解决方案即开的优势。ProASIC3E可重新编程，以ASIC级别的单位成本提供上市时间优势。这些功能使设计人员能够使用现有的ASIC或FPGA设计流程和工具创建高密度系统。
ProASIC3E设备提供1 kbit的片上、可编程、非易失性FlashROM存储以及基于六个集成锁相环（PLL）的时钟调节电路。ProASIC3E设备具有多达300万个系统门，支持多达504 kbits的真正双端口SRAM和多达620个用户I/O。
几个ProASIC3E设备支持Cortex-M1软IP核，并且启用ARM的设备具有以M1A3PE开头的Microsemi订购号。
特色
高容量
•60万至300万系统闸门
•108至504 kbits的真双端口SRAM
•多达620个用户I/O
可重新编程闪存技术
•130 nm，7层金属（6铜），基于闪存的CMOS工艺
•0级即时支持
•单片解决方案
•断电时保持编程设计
片上用户非易失性存储器
•1 kbit闪存ROM，带同步接口
高性能
•350 MHz系统性能
•3.3 V，66 MHz 64位PCI
系统内编程（ISP）与安全
•ISP通过JTAG使用片上128位高级加密标准（AES）解密（符合IEEE 1532）
•FlashLock®旨在保护FPGA内容
低功耗
•低功耗的核心电压
•仅支持1.5-V系统
•低阻抗闪光开关
高性能路由层次结构
•分段分级路由和时钟结构
•超快本地和长线网络
•增强型高速、超长线路网络
•高性能、低偏斜全球网络
•体系结构支持超高利用率
•60万至300万系统闸门
•108至504 kbits的真双端口SRAM
•多达620个用户I/O
可重新编程闪存技术
•130 nm，7层金属（6铜），基于闪存的CMOS工艺
•0级即时支持
•单片解决方案
•断电时保持编程设计
片上用户非易失性存储器
•1 kbit闪存ROM，带同步接口
高性能
•350 MHz系统性能
•3.3 V，66 MHz 64位PCI
系统内编程（ISP）与安全
•ISP通过JTAG使用片上128位高级加密标准（AES）解密（符合IEEE 1532）
•FlashLock®旨在保护FPGA内容
低功耗
•低功耗的核心电压
•仅支持1.5-V系统
•低阻抗闪光开关
高性能路由层次结构
•分段分级路由和时钟结构
•超快本地和长线网络
•增强型高速、超长线路网络
•高性能、低偏斜全球网络
•体系结构支持超高利用率
