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T89C5115-TISIM是集成电路MCU 8BIT 16KB FLASH 28SOIC，包括89C系列，数据表注释中显示了用于28-SOIC（0.295“，7.50mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA），供应商设备包设计用于28-SOIC，以及20个I/O，该设备也可用于40MHz速度。此外，EEPROM大小为2K x 8，该设备采用80C51核心处理器，该设备具有512 x 8的RAM大小，程序存储器类型为FLASH，外围设备为POR、PWM、WDT，连接为UART/USART，电源Vcc Vdd为3 V~5.5 V，核心大小为8位，程序存储器大小为16KB（16K x 8），数据转换器为a/D 8x10b，并且振荡器类型是内部的。
T89C5115-TISUM是IC MCU 8BIT 16KB FLASH 28SOIC，包括3V~5.5V电压源Vcc Vdd，它们设计为与28-SOIC供应商设备包一起工作，速度如数据表说明所示，用于40MHz，提供89C等系列功能，RAM大小设计为512 x 8，以及FLASH程序存储器类型，该设备还可以用作16KB（16K x 8）程序内存大小。此外，外围设备是POR、PWM、WDT，该设备在Tube Packaging中提供，该设备具有28-SOIC（0.295“，7.50mm宽）封装外壳，振荡器类型为内部，工作温度范围为-40°C~85°C（TA），I/O数量为20，EEPROM大小为2K x 8，数据转换器为a/D 8x10b，核心大小为8位，核心处理器为80C51，连接为UART/USART。
T89C5115-TDSIM带有电路图，包括UART/USART连接，设计用于80C51核心处理器，核心尺寸如数据表注释所示，用于8位，提供a/D 8x10b等数据转换器功能，EEPROM尺寸设计用于2K x 8以及20个I/O，其工作温度范围为-40°C~85°C（TA）。此外，振荡器类型是内部的，该器件采用24-SOIC（0.295“，7.50mm宽）封装盒，该器件具有一个封装管，外围设备为POR、PWM、WDT，程序存储器大小为16KB（16K x 8），程序存储器类型为FLASH，RAM大小为512 x 8，系列为89C，速度为40MHz，供应商设备封装为24-SO，电源Vcc Vdd为3V~5.5V。
